【原創】硬貨：5V 2.1A適配器,小尺寸(33.5*38.5mm)待機功耗小于50mW——每日更新

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下面開始......

當然各位也可以加我QQ：7583408共同進行探討

原理圖

電路描述

      該電路圖中R7、R8為反饋分壓電阻，C3起到環路補償的作用；D1，R2，以及R3，C1 組成RCD 箝位電路，用于吸收功率Mos（芯片內部已集成,Vds耐壓值為650V）漏源端尖鋒電壓，可以視情況予以減輕。當CS 腳短路（或Rcs 短路）時系統會發生保護并進入Latch 狀態，以確保系統不會被損壞；EC1，L1，L2，EC2 組成π性濾波，以改善EMI 性能；

系統關鍵元件考量

1. 電源芯片選取的芯片為內置650V 耐壓，典型導通電阻3.6Ω的功率MOS和內置高壓啟動電路，因此不需要額外的啟動電阻和外置的功率管。系統設計時需要確保在各種工作狀態下IC 內置MOS 的DS 耐壓可以滿足要求。

2. RCD 吸收初級嵌位（RCD）回路，盡量在C或者D上再串一個電阻，以利于EMI及退磁回路調整。RCD吸收的二極管建議采用慢管1N4007或是FR107。

3. COMP 電容COMP 腳對地采用一顆電容作為環路補償，建議采用104 的瓷片電容即可。

4.上偏電阻R4由于內置了輸入線電壓補償功能，通過調整上偏電阻R4（需要等比例調整下偏電阻R3），即可使不同交流輸入電壓，同一輸出條件下的輸出電流盡可能保持一致。根據芯片參考資料，建議將R4的值設計在30K~100K。

請教下：

2. RCD 吸收初級嵌位（RCD）回路，盡量在C或者D上再串一個電阻，以利于EMI及退磁回路調整。RCD吸收的二極管建議采用慢管1N4007或是FR107。

問：為什么串加一個電阻，就利于EMI及退磁回路調整？

3. COMP 電容COMP 腳對地采用一顆電容作為環路補償，建議采用104 的瓷片電容即可。

問：為什么加個電容就形成環路補償？

上面的2個問題，望給耐心解答下，謝謝啦。

      你的這個問題問的很好，我的理解是這樣，供參考：

      1、關于為什么串加一個電阻，就利于EMI及退磁回路調整的問題

      串聯一個電阻的作用是抑制RCD的二極管的反向恢復電流，包括吸收的二極管采用慢管也是同樣的作用，都是起到延長EMI退磁回路的調整作用；

      2、關于為什么加個電容就能形成環路補償的問題

      這個問題會涉及到PSR芯片內部架構的問題，我們來看一張典型的PSR應用框架圖

      采樣電壓和基準電壓比較產生誤差電壓，PSR是關端MOS次級續流時候采樣，這個電容作用就是存儲誤差電壓的。如果不加這個電容。次級管斷的時候采樣，到初級開通MOS的時候控制電路就根本不知道次級輸出的情況。這個點容如果太大，那么上面會存儲過多的能量。當輸出變動的時候要很長時間這個電容才能回復到正確的誤差電壓。所以就表現出電源響應慢。

      反饋采樣送入誤差放大器和基準比較，比較后的誤差電壓是用來控制開關管的導通。當原邊關閉，次級輸出，反饋采樣，得到誤差信號，沒有這個電容，原邊再次導通，EA輸出的信號丟失。無法再控制開關管。

      簡單說該電容作用是把輸出的情況存儲起來。等開關管導通時候告訴開關管導通時間多少才合適。由于EA誤差放大器的倍數很大，所以輸出會很精準的得到反饋電阻設定的電壓值上。

恩，芯片架構和OB2538相比的確有點相似。

該芯片是自啟動電路，和OB2538相比，省點了高壓啟動電阻。

待機功耗更低，待機功耗可以做到50mW。

EMI略比OB2538稍好些

朋友:您的這款5V2.1A電源PCBA的尺寸就是38.5  33.5 高度多少還沒有明確，已經是很普通的不能在普通的尺寸了，還加了散熱器，生產會很痛苦的，性能不知道怎么樣，成本應該沒有什么優勢，這種消費品是靠量來的，設計太復雜會搞的生產很痛苦，我們這邊現在做的整個外殼的尺寸還沒有您的2/3,效率是83（板邊），我是做業務的，不怎么懂技術，冒犯之處不要見怪

    1.選定肖特基

     設計系統時，需先確定輸出肖特基二極管的耐壓。對于這類芯片架構，5V輸出電壓建議采用40V 耐壓的肖特基二極管，9V 輸出電壓建議采用 60V 耐壓的肖特基二極管，12V 輸出電壓建議采用 100V 耐壓的肖特基二極管。

    2.確定初次級間的匝比

    根據系統輸出確定肖特基二極管后就由其耐壓范圍以及交流輸入電壓的要求反推確定初次級之間的匝比 N，最終根據實際變壓器繞制情況再做微調。

    3.CS 的檢測電阻

    根據輸出的最大電流 Io，初次級之間的匝比 N，由以下公式

經查詢，芯片規格書，0.5V為CS電流檢測比較器的基準， n1為系統的電流耦合系數(基本為 0.85~0.9)。

    變壓器輔助繞組的設計

    由于系統輸出電壓由下列公式確定。

    N1 為輔助繞組和次級繞組之間的匝比，Vref 為FB 采樣的基準電壓2.0V， Vd 為輸出整流二極管的壓降。確定變壓器的次級的圈數后，即可確定輔助繞組的圈數，建議將系統最大功率輸出時的VDD 電壓設計為15V 左右。最終根據系統的實際需要調整輔助繞組和次級繞組之間的匝比，比如輸出電壓的實際要求工作范圍，以保證在要求的范圍內能給VDD 提供足夠的電壓，同時不會觸發VDD 過壓保護。

有沒有DEMO測試報告呢？

是什么芯片？

有沒有成品的圖片讓看下。輸出電壓精度 負載調整 線電壓調整 真能達到上面的要求？

成品圖片如下：

學習..學習

PCB板，各位大師多多指正

                                   TOP                                                               Bottom                                 

電壓分壓反饋怎么用電源輔助繞組做反饋，而不用做反饋

想問一下這個PSR芯片是不是用了哪個品牌的芯片？

有沒有具體的PN.

謝謝！

關于布局（來之芯片設計廠商資料）

關于布局考量

1.高壓部分初級的高壓部分距離,請盡可能的保持在1mm 以上。

2.單點接地所有接地，包括芯片的地,VDD的地,COMP電容的地,FB電阻的地,變壓器的地,CS電阻的地，盡量單點接地,即分別接到輸入Bulk電容的地，大電流與小信號部分一定要分開，建議采用以上的電路板布局。

3.RCD 回路和大電流回路圖中的RCD回路1和大電流回路2，以及次級整流之后的回路3所形成的的面積應盡量小。

4.FB 回路FB回路的走線應盡量的短,且遠離大電流大電壓回路以避免干擾，同時電阻要離IC的FB PIN越近越好。另外，建議在FB到地之間并一顆小電容（建議10pF-47pF）。

5.VDD 電容建議 VDD 電容為4.7uF~10uF 的50V 電解電容，且應放置在距離VDD 引腳最近的地方，這樣可以降低干擾，同時建議盡可能在VDD 與GND 之間在放置一顆10~100nF 的瓷片電容，已濾除高頻干擾。

6.VDD 限流電阻建議VDD回路在整流之后預留一個0805的限流電阻,且VDD整流管推薦使用FR系列或者是慢管1N4007，有利于FB采樣及退磁。

7.散熱在滿載 EMI 測試的情況下可將SW 腳和次級整流二極管所連接的PCB 區域適當加大，并露銅以改善器件散熱能力。

8.輸出二極管次級繞組,輸出二極管與輸出濾波電容所圍成的環路區域面積應最小。此外，與二極管的陰極和陽極連接的銅鉑區域應足夠大，以便用來散熱。最好在安靜的陰極留有更大的銅鉑區域，而陽極鋪銅區域過大會增加高頻輻射EMI。

這款芯片是高頻芯片，開關頻率按照70KHz設計的

呵呵

這種尺寸也不是最小的，

 5V/2.4A小尺寸(27.5mm*27.5mm)適配器技術參數要求

1、輸入電壓：90~265Vac；

2、輸出功率：12W(Typical)；

3、待機功耗：<30mW；

4、工作環境：25℃—45℃；

5、傳導余量-10dB，輻射-8dB；

6、平均效率：≥82.5%（輸出線端 1.5m AWG 20）；

7、線性調整率：±1%,負載調整率：±3%；

8、單面板設計，單面元器件，面積：(27.5mm*27.5mm)；

9、絕緣耐壓：3750V，群脈沖、雷擊：±2000V，ESD靜電：滿載接觸±8KV，空氣±15KV；

10、具備輸出短路保護，輸出過流保護，VDD過壓保護，FB分壓電阻開路短路保護，以及電流偵測電阻Rcs短路和過溫保護；請只教。

頂樓主一個

有兩個問題：

1.你說的負載調整率是空載和滿載電壓還是輸出最高電壓和最低電壓？

2.這個板子在CASE里面的IC的溫度是多少？

謝謝

       感謝這位兄弟的關注：

       一、負載調整率是空載和滿載電壓還是輸出最高電壓和最低電壓？    負載調整率測試是在額定輸入電壓情況下（輸入電壓90-264V，分四段測試條件），分別對空載、輕載、半載、滿載的輸出電壓進行計量，得出負載調整率。負載調整率是在固定輸入電壓為情況下的數據。但輸入電壓90V和264都會進行測試。

       二、板子在CASE里面的IC的溫度是多少？    

      關于芯片溫度問題，當前測試環境溫度40℃，外殼密閉、無風環境測試，Vin＝90Vac；Io=2.1A。IC 表面溫度115℃

無Y的設計嗎，

如果僅僅為了滿足EMI，我這個板子很輕松可以做成無Y的。但考慮到芯片溫升和共模干擾問題，當前在我這塊板子上面還是比較難實現。

效率測試

測試條件：Vin＝90～265Vac； 輸出線都采用 1.5m 20AWG，熱機半小時后測試

測試結果： 

5V2.1A，EPC17的變壓器，這個效率我自認為算是可以的了

這么小的板子，你還說會覺得芯片溫度高？

請看好測試條件：

Vin＝90Vac；Io=2.1A，環境溫度40℃，外殼密閉、無風環境。

IC表面溫度115度

芯片廠商稱內置的MOS為2.5A的MOS，芯片資料先生內置MOS的導通電阻為3.6歐。

變壓器磁芯和線包的溫度都在102度左右，芯片OTP的保護溫度是140；

之前在樣板調試中，出現過IC溫度過高，的確有出現過OTP保護的現象，后面通過調整變壓器、肖特基等元件。前段時間做了50個樣機，均沒有出現過溫保護問題。

PS：這個芯片有點意思，過溫保護做的還是很不錯。

知道了，ＩＣ是ＰＮ８３２３

兄弟你可真能開玩笑

PN8323是做5W的，并且這顆芯片目前已經下線了

我正在做這個項目，發份資料給我，行嗎，pjy2006@163.com

5V2A線端沒有上81%的效率，都是做得很差的。。。

最近新IC的效率都很不錯。。。。

跟其它參數的配套有關，與工程師的能力也有關。。。

還有就是價格了。。。

最近都在研究各公司6級能效的IC。。。都覺得很不錯。。。

不能跟5級能效的對比。。。性能提高是顯而易見的。。。。

6級能效多數需要靠外圍電路，芯片本身的提升空間也就是在2-3點。

5V2.1A用能效6級的芯片很容易實現。

但12V1A的能效6級芯片呢？樣品調試能滿足要求很容易，但很難有多大余量，在批量生產的時候就會面臨很大的問題。

比如：12V1A五級能效的效率最低要求為77.85%，六級能效的效率最低要求為82.96%。

目前我在市面上還沒有真正遇到那家的芯片真正能把12V1A的能效6級做的很好的。

都是用好材料啊 

當前主流的市場還是在追求性價比，6級能效的芯片甚至包括快充芯片，大家都知道遲早是趨勢，各大芯片廠商都為了提前搶奪這塊市場，都在著手做這類芯片，但市場真正的剛性需要又有多少呢？等待市場爆發的時候，這塊的芯片價格已經跌入低谷。